[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造方法

说明书

本发明的目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法，即，连同在晶片或者形成于晶片的厚度测定对象的表面形成有台阶的情况也包含在内，能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。半导体制造装置具备厚度计算功能(100)，厚度计算功能(100)具备：测定值取得部(1)，其从对晶片的厚度进行测定的厚度测定功能(50)取得晶片的不同的测定位置处的多个测定值；直方图数据创建部(2)，其基于多个测定值而创建直方图数据；以及分级组提取部(3)，其从直方图数据提取分级组，分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级，厚度计算功能还具备：代表值计算部(4)，其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

技术领域

在本说明书中，将“晶片或者在晶片形成的厚度测定对象”简单表达为“厚度测定对象”。本发明涉及半导体制造装置以及半导体制造方法，特别地，涉及对厚度测定对象的厚度进行计算的半导体制造装置以及半导体制造方法。

背景技术

在半导体的制造工序中，为了确认是否适当地进行了成膜、蚀刻等处理，对厚度测定对象的厚度进行测定。作为对厚度测定对象的厚度进行测定的方法，公开了例如使用光学传感器的技术(参照专利文献1)。在厚度测定对象的多个部位对厚度测定对象的厚度进行测定，根据该测定值对测定区域的厚度的代表值进行计算，由此能够更高精度地得到厚度测定对象的厚度。

专利文献1：日本特开2003-075124号公报

发明内容

下面，作为厚度测定对象的例子，对晶片本身的厚度测定进行说明。在半导体的制造工序中，有时需要针对在晶片表面形成了多个沟槽等台阶的晶片求出厚度。在这种情况下，以往，例如，将晶片之上的指定的坐标处的测定值设为测定区域的厚度的代表值。但是，在指定的坐标处的测定值是沟槽的底部的测定值的情况下，代表值不能准确反映晶片表面的厚度。

另外，以往，例如，将全部的测定值的平均值设为测定区域的厚度的代表值。但是，在计算平均值时还包含有沟槽的底部的测定值，因此不能准确地反映晶片表面的厚度。

另外，以往，例如，将测定值中的最频值设为测定区域的厚度的代表值。但是，有时最频值示出的是沟槽的底部处的晶片厚度，因此将最频值设为晶片表面的厚度是不适当的。

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法，即，即使是在厚度测定对象的表面形成有沟槽等台阶的情况下，也能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。

本发明涉及的半导体制造装置是对厚度测定对象实施用于制造半导体的处理的半导体制造装置，该半导体装置具备厚度测定对象的厚度计算功能，厚度计算功能具备：测定值取得部，其从对厚度测定对象的厚度进行测定的厚度测定功能取得不同的测定位置处的多个测定值；直方图数据创建部，其基于多个测定值而创建直方图数据；以及分级组提取部，其从直方图数据提取分级组，分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级，厚度计算功能还具备：代表值计算部，其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

本发明涉及的半导体制造方法是对厚度测定对象实施用于制造半导体的处理的半导体制造方法，半导体制造方法具备对厚度测定对象的厚度进行计算的工序，对厚度进行计算的工序具备：工序(a)，从对厚度测定对象的厚度进行测定的厚度测定功能取得不同的测定位置处的多个测定值；工序(b)，基于多个测定值而创建直方图数据；以及工序(c)，从直方图数据提取分级组，分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级，对厚度进行计算的工序还具备：工序(d)，基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

发明的效果