[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质在审
| 申请号： | 201680086711.2 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN109314046A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸也;道田典明 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种技术，具有对基板进行处理的处理室、由电磁波加热所述基板的加热装置、至少具有向所述处理室内供给含氢气体的含氢气体供给系统和向所述处理室内供给非活性气体的非活性气体供给系统的气体供给部、由等离子体激发所述含氢气体的等离子体生成部以及控制部，所述控制部构成为分别控制所述加热装置、所述气体供给部、所述等离子体生成部，以使得将由所述等离子体生成部激发的所述含氢气体供给至所述基板来对所述基板表面添加氢原子，并且在添加了所述氢原子后由所述电磁波对所述基板进行加热从而使所述基板改性。由此，能够提供能对处理对象进行均匀处理的电磁波热处理技术。 | ||
| 搜索关键词： | 含氢气体 基板 等离子体生成部 非活性气体 气体供给部 供给系统 加热装置 电磁波 氢原子 室内 等离子体激发 基板处理装置 半导体装置 电磁波加热 热处理技术 处理对象 基板表面 均匀处理 对基板 改性 加热 激发 制造 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具有：处理室，对基板进行处理，加热装置，由电磁波对所述基板进行加热，气体供给部，至少具有向所述处理室内供给含氢气体的含氢气体供给系统和对所述处理室内供给非活性气体的非活性气体供给系统，等离子体生成部，由等离子体激发所述含氢气体，以及控制部，其构成为分别控制所述加热装置、所述气体供给部、所述等离子体生成部，以使得将由所述等离子体生成部激发的所述含氢气体供给至所述基板来对所述基板表面添加氢原子，并且在添加了所述氢原子后由所述电磁波对所述基板进行加热从而使所述基板改性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气，未经株式会社国际电气许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680086711.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：于基底上形成定向自组装层的方法
- 下一篇：用于晶片的与制造商无关的后处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
