[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质

说明书

本发明提供一种技术，具有对基板进行处理的处理室、由电磁波加热所述基板的加热装置、至少具有向所述处理室内供给含氢气体的含氢气体供给系统和向所述处理室内供给非活性气体的非活性气体供给系统的气体供给部、由等离子体激发所述含氢气体的等离子体生成部以及控制部，所述控制部构成为分别控制所述加热装置、所述气体供给部、所述等离子体生成部，以使得将由所述等离子体生成部激发的所述含氢气体供给至所述基板来对所述基板表面添加氢原子，并且在添加了所述氢原子后由所述电磁波对所述基板进行加热从而使所述基板改性。由此，能够提供能对处理对象进行均匀处理的电磁波热处理技术。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。

背景技术

作为半导体装置(半导体设备)制造工序的一个工序，例如，有以使用加热装置加热处理室内的基板，使在基板表面成膜的薄膜中的组成、晶体结构改变、或修复成膜的薄膜内的晶体缺陷等的退火处理等为代表的改性处理。在近年的半导体设备中，细微化、高集成化变得显著，与之相伴，要求对形成了具有高纵横比的图案的高密度基板进行改性处理。作为对这样的高密度基板进行改性处理的方法，正在研究使用微波的热处理方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2015-070045

发明内容

发明要解决的课题

在使用以往的微波进行的热处理中，由于显著受到处理对象的材质或种类的影响而导致有时不能对基板进行均匀加热。

本发明的目的是提供能够对处理对象进行均匀处理的电磁波热处理技术。

解决课题的方法

根据本发明的一个方式，提供一种技术，其包括：

处理室，对基板进行处理，

加热装置，由电磁波对上述基板进行加热，

气体供给部，至少具有向上述处理室内供给含氢气体的含氢气体供给系统以及向上述处理室内供给非活性气体的非活性气体供给系统，

等离子体生成部，由等离子体对上述含氢气体进行激发，以及

控制部，其构成为分别对上述加热装置、上述气体供给部、上述等离子体生成部进行控制，以使得将受到上述等离子体生成部激发的上述含氢气体供给至上述基板，对上述基板表面添加氢原子，在添加上述氢原子后，由上述电磁波对上述基板进行加热，从而对上述基板进行改性。

发明效果

根据本发明，能够提供能对处理对象进行均匀处理的电磁波热处理技术。

附图说明

[图1]是本发明中的第一实施方式中适合使用的基板处理装置的单片型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

[图2]是本发明中适合使用的基板处理装置的控制器的概略构成图。

[图3]是显示本发明的第一实施方式中适合使用的基板处理的流程的图。

[图4]是显示本发明中的基板的载流子密度与温度的关系性的图。

[图5](A)是显示对于未进行H原子添加处理的晶圆在改性工序前和改性工序后的湿式蚀刻速度比的图表。(B)是显示对于进行了H原子添加处理的晶圆在改性工序前和改性工序后的湿式蚀刻速度比的图表。

[图6]是显示进行了H原子添加处理的晶圆在改性工序前和改性工序后的杂质浓度的图表。

[图7]是显示本发明中的第一实施方式的变形例1的图。