[发明专利]具有防止意外导通的被动部件的双基极连接式双极晶体管有效
| 申请号： | 201680083394.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108781076B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 威廉·C·亚历山大 | 申请（专利权）人： | 理想能量有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/66 | 分类号： | H03K17/66;H03K3/012;H03K17/687;H01L29/06;H01L29/08;H02M1/088 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了为B‑TRAN类装置提供被动截止保护的新方法。即使控制电路不起作用，AC耦合也使用外部端子上的瞬变电压以防止将发射极结正向偏压。优选地，实施二极管模式和预截止操作的相同开关用作被动截止电路操作的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 防止 意外 被动 部件 基极 连接 双极晶体管 | ||
【主权项】：
尤其主张(并且非排他地，还包括在本文中被论述为具有创造性的和/或令人惊讶的和/或有优势的任何其它要点)：一种开关电路，包括：功率半导体装置，其在第二导电类型半导体管芯的相应表面上包含分别限定第一和第二发射极结的第一和第二第一导电类型发射极/集电极区域，并在与所述第一发射极/集电极区域相同的表面上包含第一基极接触区域，并在与所述第二发射极/集电极区域相同的表面上包含第二基极接触区域，所述第一基极接触区域和所述第二基极接触区域分别与所述半导体管芯作欧姆接触；第一驱动晶体管，其在导通时操作性地将所述第一基极接触区域连接到所述第一发射极/集电极；以及第二驱动晶体管，其在导通时操作性地将所述第二基极接触区域连接到所述第二发射极/集电极区域；以及瞬变耦合电路，其操作性地连接以电连接跨越所述发射极/集电极区域的电压压摆以激活所述发射极/集电极区域中将要成为发射极的那一个的所述驱动晶体管，以限制此发射极/集电极区域与其对应基极接触区域之间的电压；控制电路，其独立驱动所述第一和第二基极接触区域以控制传导的导通和截止，这包含多个切换阶段，其中所述第一驱动晶体管和所述第二驱动晶体管将所述发射极/集电极区域中的至少一个与其对应基极接触区域连接；因此，所述第一发射极结上的正向电压被限制为低于所述第一发射极结的正向二极管压降特性，并且所述第二发射极结上的正向电压被限制为小于所述第二发射极结的正向二极管压降特性；并且因此当所述控制电路不起作用时，漏电流未被放大，并且击穿电压未因漏电流的放大而降级。
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