专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用以减少端点处的电流拥塞的布局-CN202180077338.5在审
  • R·A·布兰查德;A·莫贾布 - 理想能量有限公司
  • 2021-11-11 - 2023-08-29 - H01L29/06
  • 本发明涉及用以减少端点处的电流拥塞的布局。至少一个实例是一种半导体装置,其包括:发射极区,其界定呈具有平行边的长圆形形状的内边界,且所述长圆形具有各自具有半径的半球形端;基极区,其具有第一端、与所述第一端相对的第二端,及基极长度,所述基极区安置于所述长圆形内,其中所述基极长度平行于所述平行边且在所述平行边之间居中,所述第一端与所述第一半球形端间隔开大于所述半径的第一间隙,且所述第二端与所述第二半球形端间隔开大于所述半径的第二间隙。
  • 用以减少端点电流拥塞布局
  • [发明专利]使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法-CN202110540068.9在审
  • A·莫贾布 - 理想能量有限公司
  • 2021-05-18 - 2021-11-23 - H03K17/041
  • 本公开涉及使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法。一个实例是一种方法,其包括:以第一速率将电荷载流子注入到所述晶体管的上基极中,以所述第一速率的所述注入导致从上集电极‑发射极到下集电极‑发射极通过所述晶体管的电流流动,且所述电流流动导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第一电压降;及接着,在所述晶体管的第一导电周期结束之前的预定时间段内,以低于所述第一速率的第二速率将电荷载流子注入到所述上基极中,以所述第二速率的所述注入导致跨所述上集电极‑发射极及所述下集电极‑发射极测量的第二电压降,所述第二电压降高于所述第一电压降;及接着在所述导电周期结束时使所述晶体管不导电。
  • 使用双向基极双极结型晶体管开关组合及其操作方法
  • [发明专利]具有双基极双极结型晶体管的优化操作的电路、方法和系统-CN201580059244.X有效
  • 威廉·C·亚历山大 - 理想能量有限公司
  • 2015-11-06 - 2020-03-10 - H02M1/08
  • 本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制,而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作驱动电路的优选实施方案以提供二极管模式接通和预切断操作以及具有低电压降的硬接通状态(“晶体管接通”状态)。在一些实施例中,自同步整流器电路提供栅极驱动电路的可调整的低电压。在一些优选实施例中,用于驱动c基极区域(在集电极侧上)的基极驱动电压变化,同时监视此端子处的基极电流,以使得不施加不必要的基极电流。这解决了优化B‑TRAN中的基极驱动的困难挑战。
  • 具有基极双极结型晶体管优化操作电路方法系统
  • [发明专利]对表面电荷敏感性降低的结构和方法-CN201580003842.5有效
  • 理查德·A·布兰查德 - 理想能量有限公司
  • 2015-01-16 - 2018-12-28 - H01L27/04
  • 本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中,本发明人已认识到,还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个,以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环,其中,所述半导体掺杂部件在双侧功率器件的有源器件(阵列)部分中形成载流子发射结构和控制结构。最优选地,在一些实施例但不一定所有实施例中,一种传导类型的浅植入物用于对具有另一传导类型的阱的表面作出抵消掺杂。该浅植入物单独地工作或与具有相同传导类型的另一浅植入物组合地工作,以使阱免受半导体材料的表面处或之上的过量电荷的影响。
  • 表面电荷敏感性降低结构方法

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