[发明专利]一种用于调整半导体晶锭在其制造期间的电阻率的方法

摘要

本发明涉及一种用于制造由半导体材料制成的晶锭的方法，该方法包括以下步骤：在特定的拉伸条件下从含氧的第一熔融炉料中结晶第一晶锭，称为参考晶锭；测量沿参考晶锭分布的各个区域中的填隙氧浓度；在参考晶锭的各个区域中测量在参考晶锭的结晶过程中形成的热施主的浓度；根据填隙氧浓度和热施主浓度的测量结果确定在结晶过程中由参考晶锭的各个区域经历的用于形成热施主的退火工艺的实际持续时间；计算待获得的热施主浓度值，使得第二晶锭在结晶后具有根据目标分布的轴向电阻率；根据热施主浓度值和用于形成热施主的退火工艺的实际持续时间确定对应于目标轴电阻率分布的填隙氧浓度的轴向分布；在所述特定的拉伸条件下从含氧的第二熔融炉料中结晶第二晶锭，在整个结晶过程中调节第二熔融炉料的氧浓度，以便在第二晶锭中获得填隙氧浓度的轴向分布。

主权项

1.一种用于由半导体材料制造晶锭的方法，该方法包括以下步骤：结晶(S1)，在特定的拉伸条件下，从含氧的第一熔融炉料中结晶第一晶锭(A)，称为参考晶锭；测量(S2)，测量沿参考晶锭(A)分布的不同区域中的填隙氧浓度([Oi]i)；测量(S3)，在参考晶锭的不同区域中测量在参考晶锭(A)的结晶过程中形成的热施主浓度([DT]i)；确定(S4)，根据填隙氧浓度([Oi]i)和热施主浓度([DT]i)的测量结果，确定在结晶过程中由参考晶锭(A)的不同区域经历的热施主形成退火的有效时间(teff)；计算(S5)，计算待获得的热施主浓度值([DT]tg)以使第二晶锭(B)在结晶后具有根据目标分布的轴向电阻率；确定(S6)，根据热施主浓度值([DT]tg)和热施主形成退火的有效时间(teff)确定对应于轴向电阻率目标分布的填隙氧浓度的轴向分布([Oi]tg)；结晶(S7)，在所述特定拉伸条件下，从含氧的第二熔融炉料中结晶第二晶锭(B)，其中第二熔融炉料的氧浓度随结晶进展而调节，以便在第二晶锭(B)中获得填隙氧浓度的轴向分布([Oi]tg)。