[发明专利]半导体装置用接合线有效
| 申请号： | 201680073281.0 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108369914B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 小山田哲哉;宇野智裕;小田大造;山田隆 | 申请（专利权）人： | 日铁化学材料株式会社;日铁新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C9/00;C22C9/04;C22C9/06 |
| 代理公司： | 北京天达共和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11586 | 代理人： | 薛仑;张平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置用接合线，其适于确保较高的接合可靠性、并且具有优异的耐劈刀磨损性和表面缺陷耐受性，还满足球形成性、楔接合性等综合性能的车载用器件用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被覆层的表面的Cu表面层，该半导体装置用接合线的特征在于，含有Ni，Ni相对于线整体的浓度为0.1～1.2wt.％，上述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm，上述Cu表面层的厚度为0.0005～0.0070μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 接合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被覆层的表面的Cu表面层，其特征在于，含有Ni，Ni相对于线整体的浓度为0.1～1.2wt.％，上述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm，上述Cu表面层的厚度为0.0005～0.0070μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
