[发明专利]半导体装置用接合线

权利要求书

1.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被覆层的表面的Cu表面层，其特征在于，

含有Ni，Ni相对于线整体的浓度为0.1～1.2wt.％，

对于上述Cu合金芯材与上述Pd被覆层的交界，将Pd浓度小于70at.％的区域定义为上述Cu合金芯材，并将Pd浓度为70at.％以上的区域定义为上述Pd被覆层，

对于上述Pd被覆层与上述Cu表面层的交界，将Cu浓度小于3at.％的区域定义为上述Pd被覆层，并将Cu浓度为3at.％以上的区域定义为上述Cu表面层，

在此情况下，上述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm，上述Cu表面层的厚度为0.0005～0.0070μm，上述Cu表面层的Cu浓度为3at.％以上且小于50at.％。

2.一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、被形成在上述Pd被覆层的表面的含有Au和Pd的合金被覆层、以及被形成在上述合金被覆层的表面的Cu表面层，其特征在于，

含有Ni，Ni相对于线整体的浓度为0.1～1.2wt％，

对于上述Cu合金芯材与上述Pd被覆层的交界，将Pd浓度小于70at.％的区域定义为上述Cu合金芯材，并将Pd浓度为70at.％以上的区域定义为上述Pd被覆层，

对于上述Pd被覆层与上述合金被覆层的交界，将Au浓度小于10at.％的区域定义为上述Pd被覆层，并将Au浓度为10at.％以上且Pd浓度为60at.％以上的区域定义为上述合金被覆层，

对于上述合金被覆层与上述Cu表面层的交界，将Cu浓度小于3at.％的区域定义为上述合金被覆层，并将Cu浓度为3at.％以上的区域定义为上述Cu表面层，

在此情况下，上述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm，上述合金被覆层的厚度为0.0005～0.0500μm，上述Cu表面层的厚度为0.0005～0.0070μm，上述Cu表面层的Cu浓度为3at.％以上且小于50at.％。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

上述Cu合金芯材还含有从Zn、In、Pt及Pd中选择的至少1种以上的元素，上述元素的浓度为0.05～0.50wt.％。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

还含有从B、P、Mg、及Sn中选择的至少1种以上的元素，上述元素相对于线整体的浓度为1～110wt.ppm。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

还含有从Ga、Ge中选择的至少1种以上的元素，上述元素相对于线整体的浓度为0.02～1.2wt.％。