[发明专利]碳化硅/石墨复合物与包括所述复合物的物件及组合件在审

专利信息
申请号: 201680056231.1 申请日: 2016-08-18
公开(公告)号: CN108028267A 公开(公告)日: 2018-05-11
发明(设计)人: T·史考金斯;R·G·谢泼德;A·H·拉希德;J·L·伯尔 申请(专利权)人: 恩特格里斯公司
主分类号: H01L29/16 分类号: H01L29/16;H01L21/02;H01L21/324
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 顾晨昕
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明描述一种包含(i)内部块状石墨材料及(ii)外部碳化硅基质材料的碳化硅‑石墨复合物,其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透,且其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中。此材料可通过在化学反应条件下使前驱体石墨物件与一氧化硅(SiO)气体接触来形成,所述化学反应条件可有效地将所述前驱体石墨物件的外部部分转化为石墨存在于内部包含物中的碳化硅基质材料,且其中所述碳化硅基质材料及内部块状石墨材料在其间的界面区域处彼此相互渗透。此碳化硅‑石墨复合物适用于许多应用,诸如在制造太阳能电池或其它光学、光电、光子、半导体及微电子产品中的植入式硬掩模,以及在诸如光束线组合件、光束操控镜头、电离腔室衬垫、光束光阑及离子源腔室的离子植入系统材料、组件及组合件中。
搜索关键词: 碳化硅 石墨 复合物 包括 物件 组合
【主权项】:
1.一种碳化硅-石墨复合物,其包括(i)内部块状石墨材料及(ii)外部碳化硅基质材料,其中所述内部块状石墨材料及外部碳化硅基质材料在其间的界面区域处彼此相互渗透,且其中石墨存在于所述外部碳化硅基质材料中的包含物中。
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