[发明专利]为存储器设备中的字线提供蚀刻停止

摘要

本公开的实施例针对用于向形成3D存储器阵列的阶梯结构的字线提供蚀刻停止件的技术。在一个实施例中，装置可以包括具有设置在管芯中的阶梯结构中的多个字线的3D存储器阵列。字线可以包括硅化物层和间隔件，该间隔件被设置成围绕字线的端部邻接硅化物层。硅化物层和间隔件可以为字线接触结构形成字线的蚀刻停止件，以响应于字线接触结构在蚀刻停止件上的沉积来将字线与存储器阵列电连接。蚀刻停止件可以被配置为防止字线接触结构与阶梯结构的相邻字线的物理或电接触，以便避免不希望的短路。其他实施例可以被描述和/或被要求保护。

主权项

一种装置，包括：存储器阵列，所述存储器阵列具有设置在管芯中的阶梯结构中的多个字线，其中所述多个字线中的字线包括硅化物层，并且其中所述硅化物层为字线接触结构形成所述字线的蚀刻停止件以响应于所述字线接触结构在所述蚀刻停止件上的沉积来将所述字线与所述存储器阵列电连接，以及防止所述字线接触结构与所述阶梯结构的相邻字线的物理或电接触。