[发明专利]为存储器设备中的字线提供蚀刻停止

权利要求书

1.一种装置，包括：

存储器阵列，所述存储器阵列具有设置在管芯中的阶梯结构中的多个字线，其中所述多个字线中的字线包括硅化物层，并且其中所述硅化物层为字线接触结构形成所述字线的蚀刻停止件以响应于所述字线接触结构在所述蚀刻停止件上的沉积来将所述字线与所述存储器阵列电连接，以及防止所述字线接触结构与所述阶梯结构的相邻字线的物理或电接触。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，设置在阶梯结构中的多个字线包括响应于蚀刻过程而彼此相邻设置的至少两个字线，其中所述两个字线中的第一字线的蚀刻停止件延伸超过所述两个字线中的第二字线的端部。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蚀刻停止件进一步包括间隔件，所述间隔件被设置为围绕所述字线的端部邻接所述硅化物层，其中所述字线进一步包括邻接所述蚀刻停止件的所述硅化物层的半导体层以及用于将所述字线与相邻字线分开的钝化层，其中将所述半导体层和所述蚀刻停止件设置在所述钝化层上。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述间隔件包括绝缘电介质材料，其中所述材料包含氮化物。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述硅化物层包括与硅复合的硅化金属材料，其中所述间隔件的所述绝缘电介质材料不与所述硅化金属材料发生化学反应。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述硅化物层是硅化镁、硅化铂、硅化钛或硅化钴中的一种。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述字线接触结构的沉积包括通过干法蚀刻过程形成所述结构，其中所述蚀刻停止件用于防止所述字线接触结构在所述字线的端部上的泄漏或者渗透所述字线到达相邻字线。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述字线接触结构包括金属，其中所述金属包括钨。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置，其中，所述存储器阵列是三维（3D）存储器阵列。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述装置包括集成电路。

11.一种装置，包括：

处理器；和

与所述处理器耦合的存储器，其中，所述存储器包括存储器阵列，所述存储器阵列具有设置在管芯中的阶梯结构中的多个字线，其中所述多个字线中的字线包括硅化物层，其中所述硅化物层为字线接触结构形成所述字线的蚀刻停止件以将所述字线与所述存储器阵列电连接。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，设置在阶梯结构中的多个字线包括响应于蚀刻过程而彼此相邻设置的至少两个字线，其中所述两个字线中的第一字线的蚀刻停止件延伸超过所述两个字线中的第二字线的端部。

13.根据权利要求11所述的装置，其中，所述蚀刻停止件进一步包括间隔件，所述间隔件被设置为围绕所述字线的端部邻接所述硅化物层，其中所述字线进一步包括邻接所述蚀刻停止件的所述硅化物层的半导体层以及用于将所述字线与相邻字线分开的钝化层，其中将所述半导体层和所述蚀刻停止件设置在所述钝化层上。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述间隔件包括绝缘电介质材料以提供去除氧化物的选择性，其中所述硅化物层包括与硅复合的硅化金属材料，其中所述间隔件的所述绝缘电介质材料不与硅化金属材料发生化学反应。

15.根据权利要求11所述的装置，其中，所述装置是移动计算设备。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述存储器阵列是三维（3D）NAND存储器阵列。

17.一种方法，包括：

在管芯中提供三维存储器阵列，包括形成包含所述存储器阵列的多个字线的阶梯结构；和

在所述多个字线中的每个字线中形成包括硅化物层的蚀刻停止件，所述硅化物层为字线接触结构形成字线的蚀刻停止件，以将所述字线与所述管芯中的存储器阵列电连接。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成阶梯结构包括在包括所述管芯的半导体材料中蚀刻所述阶梯结构，其中蚀刻包括用所述半导体材料形成每个字线，并且在形成每个字线的半导体层的所述半导体材料的顶部上提供钝化层。