[发明专利]为存储器设备中的字线提供蚀刻停止

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年8月25日提交的并且题为“PROVISION OF ETCH STOP FOR WORDLINES IN A MEMORY DEVICE”的美国申请第14/835,648号的优先权，由此其全部公开内容为了所有目的而通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施例一般涉及集成电路（IC）的领域，并且更具体地涉及用于三维存储器设备的制造技术。

背景技术

典型的闪存设备可以包括存储器阵列，该存储器阵列包括以行和列的方式布置的大量非易失性存储器单元。近年来，诸如三维（3D）存储器的垂直存储器已被开发出来。3D闪存（例如3D NAND存储器阵列）设备可以包括堆叠在彼此之上的多串电荷储存设备（存储器单元）。多个串的每一组可以共享多个被称为字线（WL）的存取线。多个存取线中的每一个可以耦合（例如，经由提供的触点电连接）与每个串的相应层相对应的电荷储存设备（存储器单元）。

在3D存储器设备制造中，即使接触着陆（contact landing）可能处于不同的纬度，但是也可以与单个蚀刻同时形成字线触点。然而，在蚀刻过程期间确保所形成的触点在指定的字线上停止而不泄漏到另一字线（例如通过穿透指定的字线或泄漏到下面的字线）以及因此产生不希望的短路可能是富有挑战性的。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将容易理解实施例。为了便于此描述，相同的附图标号表示相同的结构元件。在附图中通过示例的方式而不是通过限制的方式图示出实施例。

图1是根据一些实施例的包括利用本公开的字线蚀刻停止提供技术制造的3D存储器阵列的示例存储器设备。

图2-图8示意性地图示出了根据一些实施例的3D存储器设备的字线阶梯结构的示例横截面侧视图，其示出了在布置在管芯中的阶梯结构中的字线上形成蚀刻停止件的不同阶段。

图9图示出了根据一些实施例的具有如参考图2-图8所述而形成的蚀刻停止件的3D存储器设备的字线阶梯结构的示例横截面侧视图。

图10是根据一些实施例的用于向3D存储器阵列的字线提供蚀刻停止件的处理流程图。

图11示意性地图示出根据一些实施例的包括具有使用本公开的技术提供给阵列的字线的蚀刻停止件的存储器阵列的示例计算设备。

具体实施方式

根据一些实施例，本公开的实施例描述了用于包括存储器阵列的装置的技术和配置，其中向形成阶梯结构的字线提供蚀刻停止件。在一些实施例中，装置可以包括具有设置在管芯中的阶梯结构中的多个字线的存储器阵列。多个字线中的字线可以包括硅化物层，并且在一些实施例中，还包括间隔件，所述间隔件被设置为围绕字线的端部邻接所述硅化物层。硅化物层和间隔件可以为字线接触结构形成字线的蚀刻停止件，以响应于字线接触结构在蚀刻停止件上的沉积来将字线与存储器阵列电连接。蚀刻停止件可以被配置为防止字线接触结构与阶梯结构的相邻字线的物理或电接触，以便避免不希望的短路。

在以下描述中，将使用本领域技术人员通常采用的术语来描述说明性实现的各个方面，以将他们的工作的实质传达给本领域的其他技术人员。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，可以仅用所描述的一些方面来实践本公开的实施例。为了解释的目的，阐述了具体的数字、材料和配置以便提供对说明性实现的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，可以在没有具体细节的情况下实践本公开的实施例。在其他情形下，省略或简化了公知的特征以免混淆所述说明性实现。

在下面的详细描述中，对构成详细描述一部分的附图进行参考，其中相同的附图标号通篇指定相同的部分，并且在其中通过说明性方式示出其中可以实践本公开主题的实施例。应该理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此，下面的详细描述不应被认为是限制性意义的，并且实施例的范围由所附权利要求及其等价物来限定。

为了本公开的目的，短语“A和/或B”意指（A）、（B）、（A）或（B）或（A和B）。为了本公开的目的，短语“A、B和/或C”是指（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C） 、或（A、B和C）。

描述可以使用基于透视的描述，诸如顶部/底部、输入/输出、上/下等等。这样的描述仅用于促进讨论，并不旨在将本文描述的实施例的应用限于任何特定的取向。