[发明专利]选择性处理工件的方法及系统有效

专利信息
申请号: 201680039913.1 申请日: 2016-07-06
公开(公告)号: CN107851562B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 马克·R·亚玛多;威廉·戴维斯·李;吉莲·雷诺 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01L21/265 分类号: H01L21/265;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/324
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 杨文娟;臧建明
地址: 美国麻萨诸塞州格洛斯特*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开用于选择性处理工件的系统及方法。举例而言,可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分,其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转,以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转,以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺,例如离子植入、蚀刻、或沉积。
搜索关键词: 选择性 处理 工件 方法 系统
【主权项】:
一种处理工件的方法,其特征在于,包括:在朝第一位置引导离子束的同时使所述工件在第一方向上绕中心旋转,其中所述离子束在两个第一定位处延伸超过所述工件的外边缘且所述第一位置是距离所述工件的所述外边缘的预定距离,以处理所述工件的外部部分的一部分;相对于所述离子束移动所述工件,以朝所述工件上的第二位置引导所述离子束,其中所述离子束在两个第二定位处延伸超过所述工件的外边缘且所述第二位置是距离所述工件的所述外边缘的所述预定距离;以及在朝所述第二位置引导所述离子束的同时使所述工件在与所述第一方向相反的第二方向上绕所述中心旋转,以处理所述工件的所述外部部分的其余部分。
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