[发明专利]具有经修改后电流分布的半导体装置有效
| 申请号： | 201680030982.6 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107667425B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 梅时中;维克托·王;杰弗里·P·莱特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L25/18;H01L21/60 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。例如，与逻辑裸片接触的存储器裸片可经配置以从电流源汲取总电流量。所述存储器裸片可包含形成于所述存储器裸片中且经配置以将所述总电流量从所述电流源提供到所述存储器裸片的多个贯穿衬底通路TSV。所述存储器裸片可包含与更靠近电流源的第一TSV相关联的未连接的至少两个互连接触件。所述存储器裸片可包含与在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远的第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 修改 电流 分布 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：/n逻辑裸片；/n存储器裸片，其与所述逻辑裸片接触且经配置以从电流源汲取电流量，其中所述存储器裸片包含：/n多个贯穿衬底通路TSV，其形成在所述存储器裸片中，其中所述多个TSV中的每一者经配置以将所述电流量的一部分从所述电流源提供到所述存储器裸片；/n至少两个互连接触件，其与更靠近所述电流源的第一TSV相关联，其中所述至少两个互连接触件未经连接，及/n与第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接，所述第二TSV在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远。/n
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