[发明专利]具有经修改后电流分布的半导体装置

说明书

本文描述具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。例如，与逻辑裸片接触的存储器裸片可经配置以从电流源汲取总电流量。所述存储器裸片可包含形成于所述存储器裸片中且经配置以将所述总电流量从所述电流源提供到所述存储器裸片的多个贯穿衬底通路TSV。所述存储器裸片可包含与更靠近电流源的第一TSV相关联的未连接的至少两个互连接触件。所述存储器裸片可包含与在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远的第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接。

技术领域

本发明大体上涉及具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置可用于各种电子应用中，例如个人计算机、移动电话、数码相机及其它电子装置。各种半导体装置(例如，存储器裸片)使用贯穿衬底通路(TSV)，所述TSV是可提供穿过半导体装置(例如，举例来说硅晶片或裸片)的电连续性的导电通路。TSV可使得两个或两个以上集成电路(IC)装置能够垂直堆叠成一个三维(3D)芯片堆叠。例如，堆叠的顶部处的IC装置的TSV可连接到所述堆叠下部的IC装置的TSV。通过电连接堆叠中的IC装置，所述TSV可能够使得所述堆叠中的所述IC装置充当单个装置。TSV技术可使得3D芯片堆叠能够具有增加的连接性、带宽及/或功能性而除其它优势外还占据小占据面积。此外，连接3D芯片堆叠以提供足够功率且磨损寿命是具有挑战性的。

附图说明

图1是根据本发明的数个实施例的半导体裸片组合件的实例。

图2是通过TSV将电流提供到半导体装置的实例。

图3是根据本发明的数个实施例的半导体装置的实例。

图4是根据本发明的数个实施例的具有经修改后电流分布的半导体装置的实例。

具体实施方式

本文描述具有经修改后电流分布的半导体装置及其形成方法。例如，存储器裸片可位于逻辑裸片的顶部上且与所述逻辑裸片接触。所述存储器裸片可经配置以从电流源汲取电流量。所述存储器裸片可包含形成于所述存储器裸片中且经配置以将电流量从电流源提供到所述存储器裸片的多个贯穿衬底通路(TSV)(例如，穿硅通路)。所述存储器裸片可包含与更靠近电流源的第一TSV相关联的未连接的至少两个互连接触件。所述存储器裸片可包含与比所述第一TSV离所述电流源具有更远的物理距离的第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接。

TSV可通过各种工艺形成于半导体装置中。例如，可将光致抗蚀剂施加到表面，例如半导体晶片的前侧表面。其后，所述晶片可经图案化且蚀刻工艺(例如深反应性离子蚀刻工艺)可用于产生经图案化晶片中的通路。可被称为衬底的晶片可包含数个基于半导体的结构，所述结构可包含硅、绝缘体上硅(SOI)、蓝宝石上硅、硅锗、砷化镓等等。在各种应用中，数种材料可形成于通路中。例如，衬垫材料(例如氧化物)及势垒材料(例如，例如钽)可形成于通路中。所述通路可填充有导电材料，例如(例如)铜、钨或铝。在此阶段中，经填充的通路可不完全延伸通过晶片。因而，所述晶片可经翻转且可发生背侧处理。例如，可执行薄化及/或TSV显露工艺，从而导致所述通路内的导电材料一直延伸通过晶片。

在形成TSV之后，例如在通路延伸通过晶片后，可针对各种应用执行数个进一步处理步骤。例如，可形成导线以连接TSV而促进将半导体装置连接(例如，物理及/或电连接)到数个其它半导体装置及/或电子装置的其它组件(例如，裸片上电路、互连接触件，例如金属化层等等)。导线的宽度可根据本发明的数个实例而改变。例如，与导线相关联的TSV离电流源的距离可确定互连件的宽度。在一些实例中，与在距离上更靠近电流源的TSV相关联的导线可比与在距离上离所述电流源更远的TSV相关联的导线更窄。