[发明专利]具有经修改后电流分布的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

逻辑裸片；

存储器裸片，其与所述逻辑裸片接触且经配置以从电流源汲取电流量，其中所述存储器裸片包含：

多个贯穿衬底通路TSV，其形成在所述存储器裸片中，其中所述多个TSV中的每一者经配置以将所述电流量的一部分从所述电流源提供到所述存储器裸片；

至少两个互连接触件，其与更靠近所述电流源的第一TSV相关联，其中所述至少两个互连接触件未经连接，及

与第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接，所述第二TSV在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中与所述第一TSV相关联的所述至少两个互连接触件之间的电阻大于与第二TSV相关联的至少两个互连接触件之间的电连接的电阻，所述第二TSV在距离上比所述第一TSV离所述电流源更远。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中通过电力总线将所述电流量提供到裸片上电路。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中根据半导体工艺形成的导线经设定尺寸且经连接以将通过所述多个TSV中的每一者的电流维持在特定阈值电流之下。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述导线经配置以将通过所述多个TSV中的每一者的所述电流维持在小于13mA。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一TSV经由所述互连接触件耦合至裸片上电路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器裸片堆叠于额外存储器裸片之上，其中额外多个TSV延伸通过所述额外存储器裸片且对准到延伸通过所述存储器裸片的所述多个TSV中的各个TSV。

8.一种半导体装置，其包括：

逻辑裸片；

存储器裸片，其与所述逻辑裸片接触且经配置以从电流源汲取电流量；

多个贯穿衬底通路TSV，其形成于所述存储器裸片中且经配置以将所述电流量从所述电流源提供到所述存储器裸片；及

第一导线，其位于所述多个TSV的第一者与第一电路之间，

其中所述第一导线的宽度比至少第二导线的宽度窄，所述第二导线位于所述多个TSV的第二者与第二电路之间，且其中所述至少第二导线离所述电流源比所述第一导线有更远的物理距离。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其包含位于所述多个TSV的第三者与第三电路之间的第三导线，其中：

所述第二导线位于所述第一导线与所述第三导线之间；且

所述第二导线的宽度比所述第三导线的宽度窄。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一导线的所述宽度取决于与相对于所述电流源的距离。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中关联于所述多个TSV中的至少一者的导线的宽度随着离所述电流源的距离增加而增加。

12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述第一导线的长度和所述宽度经确定以使得所述第一导线的电阻等于所述至少第二导线的电阻。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述多个TSV中的每一者经配置以转移通过所述多个TSV中的每一者的小于13mA的所述电流量的一部分。

14.一种形成半导体装置的方法，其包括：

形成存储器裸片的第一贯穿衬底通路TSV与电路之间的第一导线，所述第一导线耦合所述第一TSV及所述电路，所述第一导线具有第一宽度；以及

形成第二TSV与所述电路之间的第二导线，所述第二导线耦合所述第二TSV及所述电路，所述第二导线具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中所述第一TSV比所述第二TSV更靠近所述存储器裸片的电流源。