[发明专利]贴合式半导体晶圆以及贴合式半导体晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201680014896.6 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN107430982B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 石川修;加藤正弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种贴合式半导体晶圆，在主要表面上具有单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有一自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。因此提供能避免掉Trap‑rich型的SOI基板中由于BOX氧化膜之中的电荷的影响或杂质所导致的基底晶圆的电阻率的低下，并使高频的基本讯号的失真及一电路向其它电路的环绕讯号变少，并且量产性为优良的贴合式半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 半导体 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贴合式半导体晶圆，为在主要表面上具有一单晶硅层，其中该贴合式半导体晶圆具有自单晶硅所构成的基底晶圆及具有依序向上地位于该基底晶圆上的第一介电质层、多晶硅层、第二介电质层及该单晶硅层，并且该多晶硅层与该第二介电质层之间构成为贴合面，以及该基底晶圆与该第一介电质层之间形成有载体陷阱层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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