[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680012460.3 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107408576B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 向井弘治;吉田崇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 从基板背面侧以不同的射程进行多次质子照射，在形成深度不同的第一～第四n型层(10a)～(10d)后，使质子活化。接着，从基板背面向比质子照射的射程更深的位置照射氦，导入晶格缺陷。在调整晶格缺陷量的热处理时，使第四n型层(10d)中未活化的质子扩散，形成在第四n型层(10d)的阳极侧与第四n型层(10d)接触，并且具有伴随着朝向阳极侧而以比第四n型层(10d)更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的第五n型层(10e)。由包含该质子及氦的第五n型层(10e)、和包含质子的第一～第四n型层(10a)～(10d)构成n型FS层(10)。由此，提供能够提高可靠性并且能够实现低成本化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：第一照射工序，从第一导电型的半导体基板的一个主面侧以第一预定深度为射程来照射质子，形成包含质子并且在所述第一预定深度具有载流子浓度的峰值的第一导电型的第一半导体层；第一热处理工序，通过热处理使质子活化；第二照射工序，从所述半导体基板的一个主面侧以比所述第一预定深度深的第二预定深度为射程来照射氦，向所述半导体基板导入晶格缺陷；第二热处理工序，通过热处理，调整所述半导体基板中的所述晶格缺陷的量，在所述第二热处理工序中，在与所述第一半导体层相比更靠所述半导体基板的另一个主面侧形成包含质子及氦，并且与所述第一半导体层接触的第一导电型的第二半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680012460.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及半导体装置的制造方法
- 下一篇：半导体装置及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
