[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680009075.3 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108292659B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 小谷凉平;松原寿树;石塚信隆;三川雅人;押野浩 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/329;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 【课题】提供一种能够扩大活性区域的半导体装置。【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括：由形成于耐压区域B的绝缘膜4上的N型半导体层5a与P型半导体层5b交替地相邻配置后所构成的过电压保护二极管5，其中，过电压保护二极管5被配置在绝缘膜4的上端面的角部，并且从角部向半导体基板2的中央部延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在半导体基板的一方的主面与另一方的主面之间流通主电流，其特征在于：在所述半导体基板的所述一方的主面上，设置有：流通所述主电流的活性区域、以及将所述活性区域包围并且的，并且包含所述半导体基板的周缘部的耐压区域，并且包括：由形成于所述耐压区域的绝缘膜上的N型半导体层与P型半导体层交替地相邻配置后所构成的过电压保护二极管，其中，所述过电压保护二极管被配置在形成于所述半导体基板上的所述绝缘膜的上端面的角部，并且从所述角部向所述半导体基板的中央部延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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