[发明专利]外延碳化硅单晶晶片的制造方法以及外延碳化硅单晶晶片在审
| 申请号： | 201680003678.2 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107002282A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/16;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供浅坑的深度小并且具有高品质碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶晶片及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶晶片通过下述步骤来制造使上述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比(C/Si比)为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，然后，以每小时15μm以上且100μm以下的生长速度形成由碳化硅外延膜制成的漂移层。根据本发明，可以使在上述漂移层的表面观察到的浅坑的深度为30nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 碳化硅 晶片 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种外延碳化硅单晶晶片的制造方法，其特征在于，其是在相对于(0001)面向<11‑20>方向倾斜的角度即偏斜角度为4°以下的碳化硅单晶基板上流动硅系以及碳系的材料气体，通过热CVD法使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片的方法，其中，使所述硅系以及碳系的材料气体中的碳与硅的原子数比即C/Si比为0.5以上且1.0以下，形成由厚度为1μm以上且10μm以下的碳化硅外延膜制成的缓冲层，以每小时15μm以上且100μm以下的生长速度形成由碳化硅外延膜制成的漂移层，使在该漂移层的表面观察到的浅坑的深度为30nm以下。
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