[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680002154.1 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN106663692B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 阿部和;宫田大嗣;高桥英纪;野口晴司;岛田直也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实现IGBT或进行与IGBT类似的动作的半导体装置的闩锁耐量的提高以及低导通电压化。半导体装置(1A)具备：第一导电型的漂移层(3)；在漂移层(3)上被彼此相邻的沟槽(4)夹着的台面区(5)；栅极电极(8)，其隔着栅极绝缘膜(6)设置于各沟槽(4)的内部；第二导电型的基极区(9)，其设置于台面区(5)；第一导电型的发射极区(11)，其在基极区(9)的表层部沿着沟槽(4)的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区(12)，其以夹着各发射极区(11)的方式沿着长边方向与发射极区交替地配置，形成为比发射极区(11)深，且蔓延到发射极区(11)的正下方并相互分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漂移层；在所述漂移层上被彼此相邻的沟槽夹着的台面区；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜设置于各所述沟槽的内部；第二导电型的基极区，其设置于所述台面区；第一导电型的发射极区，其在所述基极区的表层部沿着所述沟槽的长边方向周期性地配置有多个；以及第二导电型的接触区，其以夹着各所述发射极区的方式沿着所述长边方向与所述发射极区交替地进行配置，形成为比所述发射极区深，且蔓延到所述发射极区的正下方并相互分离。
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