[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的漂移层；

在所述漂移层上被彼此相邻的沟槽夹着的台面区；

栅极电极，其隔着栅极绝缘膜设置于各所述沟槽的内部；

第二导电型的基极区，其设置于所述台面区；

第一导电型的发射极区，其在所述基极区的表层部沿着所述沟槽的长边方向周期性地配置有多个；以及

第二导电型的接触区，其以夹着各所述发射极区的方式沿着所述长边方向与所述发射极区交替地进行配置，形成为比所述发射极区深，且蔓延到所述发射极区的正下方并相互分离，定义在所述接触区的表面上的在所述长边方向上测得的接触区接触宽度比定义在所述发射极区的表面上的在所述长边方向上测得的发射极区接触宽度窄，

其中，所述栅极绝缘膜具有沿着所述长边方向交替配置的第一部分和第二部分，所述第一部分至少设置于所述沟槽的位于夹着所述发射极区正下方的所述基极区的位置的侧壁，所述第二部分以比所述第一部分厚的膜厚形成，且至少设置于所述沟槽的位于夹着所述接触区正下方的所述基极区的位置的侧壁，

所述接触区与所述基极区之间的界面的在所述长边方向上测得的有效接触区宽度比所述发射极区与所述基极区之间的pn结界面的在所述长边方向上测得的发射极注入宽度宽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触区的深度比所述发射极区的深度深0.5μm以上且2μm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射极注入宽度的一半的长度比所述发射极区与所述接触区之间的pn结界面的爬电距离短。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射极区和所述接触区设置成将相邻的所述沟槽连起来。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射极区的杂质浓度比所述接触区的杂质浓度高。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

层间绝缘膜，其设置成覆盖所述发射极区和所述接触区；

势垒金属膜，其设置于贯穿所述层间绝缘膜的接触孔的内壁以及在所述接触孔的底部露出的所述发射极区和所述接触区各自的表面；

接触插塞，其隔着所述势垒金属膜设置于所述接触孔的内部；以及

发射极电极，其以与所述接触插塞连接的方式设置于所述层间绝缘膜上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触孔沿着所述长边方向呈条状地延伸。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述势垒金属膜的上缘部以具有高度差的方式比所述接触孔的上缘部低。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述接触插塞的表面为凹形状。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述势垒金属膜由包括钛膜和氮化钛膜的复合膜形成，

所述接触插塞由钨膜形成。

11.根据权利要求6～10中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

在所述漂移层上被彼此相邻的所述沟槽夹着的二极管用台面区；

第二导电型的阳极区，其设置于所述二极管用台面区的表层部；以及

第一导电型的阴极区，其与所述二极管用台面区相向地设置于所述漂移层的与表层部相反的一侧的背面。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一部分从所述发射极区正下方的所述基极区与所述栅极电极之间连续设置到所述接触区正下方的所述基极区与所述栅极电极之间。