[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201621491504.9 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN206388698U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘连杰 | 申请（专利权）人： | 北京集创北方科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，包括半导体衬底，在其中形成源区和漏区；栅极介质，位于所述半导体衬底之上；栅极导体，位于所述栅极介质之上；层间介质层，位于所述栅极导体或所述半导体衬底之上；源极电极和漏极电极，位于所述层间介质层之上；伪金属层，位于所述层间介质层之上；以及多个导通通道，分别将所述源极电极连接至所述源区，将所述漏极电极连接至所述漏区，以及将所述伪金属层连接至所述半导体衬底。本实用新型提供的半导体器件，通过导通通道，将伪金属层连接至半导体衬底，从而使伪金属层上集聚的电荷导入到半导体衬底，从而避免损伤器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在其中形成源区和漏区；栅极介质，位于所述半导体衬底之上；栅极导体，位于所述栅极介质之上；层间介质层，位于所述栅极导体或所述半导体衬底之上；源极电极和漏极电极，位于所述层间介质层之上；伪金属层，位于所述层间介质层之上；以及多个导通通道，分别将所述源极电极连接至所述源区，将所述漏极电极连接至所述漏区，以及将所述伪金属层连接至所述半导体衬底。
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