[实用新型]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在其中形成源区和漏区；

栅极介质，位于所述半导体衬底之上；

栅极导体，位于所述栅极介质之上；

层间介质层，位于所述栅极导体或所述半导体衬底之上；

源极电极和漏极电极，位于所述层间介质层之上；

伪金属层，位于所述层间介质层之上；以及

多个导通通道，分别将所述源极电极连接至所述源区，将所述漏极电极连接至所述漏区，以及将所述伪金属层连接至所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述层间介质层上设置有通孔，所述多个导通通道穿过所述通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括栅极侧墙，位于栅极导体的侧面，用于限定和隔离所述栅极导体。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述伪金属层上形成网格图案。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述网格图案的网格形状包括正方形、长方形、三角形、菱形、平行四边形。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述网格图案为对称的网格图案。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述伪金属层的边缘设置有不规则形状的凸起。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述伪金属层通过金属蚀刻而成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述伪金属层的材料包括铝、铜或钨的单一金属，铝、铜、钨中至少两种金属组成的合金，以及氧化铟锡。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述伪金属层、所述源极电极和所述漏极电极间隔设置，互不接触。