[实用新型]一种半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种半导体器件。

背景技术

集成电路是当前发展计算机所必需的基础电子器件。许多工业先进国家都十分重视集成电路工业的发展。集成电路的集成度以每年增加一倍的速度在增长。在此过程中，各种半导体器件的尺寸不断缩小，半导体制造工业不断提升，从而使半导体器件工作需要的电压和电流不断降低，开关的速度也随之加快，这些又反过来促进了集成电路工艺的发展。

在此过程中，半导体业界寻找各种方式提升半导体工艺。例如，采用二氧化硅(SiO2)作为栅极介质，并在制作工艺中不断缩小采用二氧化硅(SiO2)作为栅极介质的厚度，达到仅有5个氧原子的厚度。再例如，寻找更好的材料制作半导体器件内的栅极导体和栅极介质。

但现有的制作工艺依然有改进的空间。在图1和图2中，分别示出了采用传统的制作工艺制作的两种半导体器件。所述半导体器件均包括半导体衬底100、栅极介质200、栅极侧墙201、栅极导体300、层间介质层400、导通通道501、源极电极502、漏极电极503、伪金属层504。两者不同之处在于，在图1中，伪金属504由采用整体铺满金属的方式形成，在图2中，伪金属层504由多个漂移的金属区块构成。图1所示的半导体器件的金属密度过高，易引起工艺缺陷，同时导致后段合金等制程无法到达栅极介质。图2所示的半导体器件采用蚀刻的方式制作伪金属层504，此种方式改善了整体和金属的某些弱点，但是由于其是漂移状态，蚀刻的电荷无法释放，累积电荷可能导致器件损伤。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型提供一种半导体器件，以克服现有技术的弱点，提升半导体器件的整体性能。

根据本实用新型的一方面，提供一种半导体器件，包括：

半导体衬底，在其中形成源区和漏区；

栅极介质，位于所述半导体衬底之上；

栅极导体，位于所述栅极介质之上；

层间介质层，位于所述栅极导体或所述半导体衬底之上；

源极电极和漏极电极，位于所述层间介质层之上；

伪金属层，位于所述层间介质层之上；以及

多个导通通道，分别将所述源极电极连接至所述源区，将所述漏极电极连接至所述漏区，以及将所述伪金属层连接至所述半导体衬底。

优选地，所述层间介质层上设置有通孔，所述多个导通通道穿过所述通孔。

优选地，所述半导体器件还包括栅极侧墙，位于栅极导体的侧面，用于限定和隔离所述栅极导体。

优选地，在所述伪金属层上形成网格图案。

优选地，所述网格图案的网格形状为正方形、长方形、三角形、菱形、平行四边形的一种。

优选地，所述网格图案为对称的网格图案。

优选地，所述伪金属层的边缘设置有不规则形状的凸起。

优选地，所述伪金属层通过至少一块金属蚀刻而成。

优选地，所述伪金属层的材料为铝、铜或钨的单一金属，铝、铜、钨中至少两种组成的合金，以及氧化铟锡。

优选地，所述伪金属层、所述源极电极和所述漏极电极间隔设置，互不接触。

本实用新型提供的半导体器件，通过导通通道，将伪金属层连接至半导体衬底，从而使伪金属层上集聚的电荷导入到半导体衬底，从而避免损伤器件。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。

图1示出根据现有技术的一种半导体器件的示意性结构图。

图2示出根据现有技术的另一种半导体器件的示意性结构图。

图3示出根据本实用新型的实施例的半导体器件的示意性结构图。

图4示出图3所示的半导体器件沿线条AA处的截面图。

【附图元件说明】

半导体衬底 100；栅极介质200；栅极侧墙201；栅极导体300；层间介质层400；导通通道501；源极电极 502；漏极电极503；伪金属层 504；伪金属线5042。

具体实施方式

以下将参照附图更详细地描述本实用新型。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中没有画出除了对应驱动电极与感应电极之外的引出线，并且可能未示出某些公知的部分。