[实用新型]一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620036779.7 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN205319163U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 晶科华兴集成电路（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 610017 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，该晶体管包括外延层、体区、栅电极和氧化层，外延层是预先生长的，并在外延层的顶面设有沟槽。体区位于沟槽之间，并向外延层的底面方向延伸至预定位置。栅电极位于沟槽内，且平行于体区的延伸方向，栅电极包括两个第一栅电极和位于第一栅电极之间的中央栅电极，第一栅电极的长度大于体区深度，且小于中央栅电极的长度。中央栅电极用于接低电位时，耗尽外延层和/或，接高电位时，增强体区中的导通沟道和/或感应外延层的多数载流子。氧化层附于沟槽的底部、侧壁和第一栅电极的侧表面。本实用新型提供的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，能够提高耐压能力和开关速度，并降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：外延层、体区、栅电极和氧化层，所述外延层是预先生长的，并在外延层的顶面设有沟槽；所述体区位于所述沟槽之间，并向所述外延层的底面方向延伸至预定位置；所述栅电极位于所述沟槽内，且平行于所述体区的延伸方向，所述栅电极包括两个第一栅电极和位于所述第一栅电极之间的中央栅电极，所述第一栅电极的长度大于所述体区深度，且小于所述中央栅电极的长度，所述中央栅电极，用于接低电位时，耗尽所述外延层和/或，接高电位时，增强所述体区中的导通沟道和/或感应所述外延层的多数载流子；所述氧化层附于所述沟槽的底部、侧壁和所述第一栅电极的侧表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科华兴集成电路（深圳）有限公司，未经晶科华兴集成电路（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620036779.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硫化亚锡和硫化铟薄膜太阳能电池
- 下一篇：一种半导体GPP整流芯片
- 同类专利
- 专利分类
