[实用新型]一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620036779.7 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN205319163U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 晶科华兴集成电路（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 610017 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
外延层、体区、栅电极和氧化层，
所述外延层是预先生长的，并在外延层的顶面设有沟槽；
所述体区位于所述沟槽之间，并向所述外延层的底面方向延伸至预定位置；
所述栅电极位于所述沟槽内，且平行于所述体区的延伸方向，
所述栅电极包括两个第一栅电极和位于所述第一栅电极之间的中央栅电极，
所述第一栅电极的长度大于所述体区深度，且小于所述中央栅电极的长度，
所述中央栅电极，用于接低电位时，耗尽所述外延层和/或，接高电位时，增强所述体区 中的导通沟道和/或感应所述外延层的多数载流子；
所述氧化层附于所述沟槽的底部、侧壁和所述第一栅电极的侧表面。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，
所述氧化层包括第一栅极氧化层和中央栅极氧化层，
所述第一栅极氧化层位于所述沟槽的上部侧壁及所述第一栅电极的侧表面，用于将所述 第一栅电极和所述体区及所述中央栅电极隔开；
所述中央栅极氧化层位于所述沟槽的底部，并延伸于所述沟槽侧壁，止于所述第一栅电 极的底面，用于电隔离所述中央栅电极和所述外延层。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，
所述中央栅极氧化层的厚度大于所述第一栅极氧化层的厚度。
4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，
所述中央栅极氧化层的厚度值还大于设定值。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，
所述中央栅电极连接低电位时，第一栅电极接零电位，用于电关闭所述晶体管；
所述中央栅电极连接高电位时，第一栅电极处于正向偏置，用于电开启所述晶体管。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，
所述两个第一栅电极的顶面相齐平。
7.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，
所述栅电极的材质是多晶硅。
8.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，
所述位于同一沟槽的两个第一栅电极的顶面相齐平。
9.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，
所述晶体管还包括位于所述沟槽开口处的隔离氧化层，用于隔离所述栅电极。
10.根据权利要求9所述的晶体管，其特征在于，
所述隔离氧化层包括硼磷硅玻璃、硅玻璃或磷硅玻璃。
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