[发明专利]集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611267856.0 | 申请日： | 2016-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106711106B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王培林;井亚会;戚丽娜;张景超;刘利峰;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L29/739;H01L21/331;G01K7/01 |
| 代理公司： | 常州金之坛知识产权代理事务所(普通合伙) 32317 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层和绝缘介质层，第二氧化层具有隔离出二极管区域的隔离部分和环形隔离部分，环形隔离部分将二极管区域的第一多晶硅层隔离形成不相连接的二极管第一掺杂区和隔离保护环，隔离保护环不闭合，外周为圆弧面的二极管第二掺杂区连接在二极管第一掺杂区内形成横向的PN结，二极管的第一、第二电极与对应的二极管第一、第二掺杂区连接，保护电极穿过绝缘介质层与第一多晶硅层上的隔离保护环连接，保护电极与第一电极连接形成等电位。本发明结构合理，能实时探测晶体管芯片温度，能解决外界电流、电压及电场变化对温度传感二极管影响，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 温度传感二极管 隔离 多晶硅层 隔离保护 掺杂区 二极管区域 绝缘介质层 电极 氧化层 晶体管 制备 晶体管芯片 第二电极 第一电极 电场变化 实时探测 外界电流 制造成本 不闭合 等电位 外周 掺杂 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构，其特征在于：硅片(1)的有源区内依次连接有第一氧化层(6)和其上部的第一多晶硅层(8)，所述的第一多晶硅层(8)为晶体管的多晶硅栅(8‑2)，第一多晶硅层(8)上部依次连接有第二氧化层(4)和绝缘介质层(14)，第二氧化层(4)具有向下穿过第一多晶硅层(8)和第一氧化层(6)与晶体管的第一掺杂区(3)和第二掺杂区(2)连接并用以隔离出二极管区域的隔离部分(4‑2)，第二氧化层(4)还具有穿过第一多晶硅层(8)和第一氧化层(6)与硅片(1)连接的环形隔离部分(4‑1)，环形隔离部分(4‑1)将二极管区域的第一多晶硅层(8)隔离形成不相连接的二极管第一掺杂区(8‑3)和位于二极管第一掺杂区(8‑3)外围的隔离保护环(8‑1)，且隔离保护环(8‑1)不闭合，外周为圆弧面的二极管第二掺杂区(8‑4)连接在二极管第一掺杂区(8‑3)内并形成横向的PN结(7)，二极管的第一电极(17)和第二电极(16)穿过绝缘介质层(14)和第二氧化层(4)与对应的二极管第一掺杂区(8‑3)和二极管第二掺杂区(8‑4)连接，保护电极(15)穿过绝缘介质层(14)和第二氧化层(4)与第一多晶硅层(8)上的隔离保护环(8‑1)连接，且保护电极(15)与第一电极(17)连接形成等电位。
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