[发明专利]测试结构及其形成方法、测试方法有效
| 申请号： | 201611262695.6 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269785B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试结构及其形成方法、测试方法，测试结构包括：基底；位于基底内的阱区；位于阱区内的第一外延掺杂区，阱区和第一外延掺杂区的掺杂类型相同；位于基底上且覆盖阱区和第一外延掺杂区的介质层；贯穿介质层且与阱区电连接的第一接触插塞；贯穿介质层且与第一外延掺杂区电连接的第二接触插塞和第三接触插塞，第二接触插塞位于第一接触插塞和第三接触插塞之间；第二接触插塞包括位于第一外延掺杂区上的金属硅化物层以及位于金属硅化物层上的第一导电插塞，在平行于基底且沿第二接触插塞延伸方向上，第二接触插塞表面具有两端。本发明可以避免因接触插塞之间尺寸不同所引起的误差问题，因此测试获取的接触电阻具有较高的准确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底内的阱区；位于所述阱区内的第一外延掺杂区，其中，所述第一外延掺杂区和所述阱区的掺杂类型相同；位于所述基底上的介质层，所述介质层覆盖所述阱区和第一外延掺杂区；贯穿所述介质层且与所述阱区电连接的第一接触插塞；贯穿所述介质层且与所述第一外延掺杂区电连接的第二接触插塞和第三接触插塞，所述第二接触插塞和第三接触插塞相分立，且所述第二接触插塞位于所述第一接触插塞和第三接触插塞之间；所述第二接触插塞包括位于所述第一外延掺杂区上的金属硅化物层以及位于所述金属硅化物层上的第一导电插塞，其中，在平行于所述基底且沿所述第二接触插塞延伸方向上，所述第二接触插塞表面具有两端。
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