[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611248888.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108257918B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供包括第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区的基底，第一N区与第一P区相邻接；在栅介质层上形成阻挡层；在阻挡层上形成第一功函数层；刻蚀第一功函数层，保留位于第一P区的第一功函数层；在第一N区、第一P区、第二N区以及第二P区上形成第二功函数层；刻蚀第一N区和第二N区的第二功函数层，直至露出第一N区的栅介质层；形成第三功函数层，第三功函数层还覆盖第一N区和第一P区交界处的阻挡层侧壁、第一功函数层侧壁以及第二功函数层侧壁；在第三功函数层上形成第四功函数层。本发明避免对第一P区的第一功函数层以及第二功函数层造成横向刻蚀，改善了形成的半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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