[发明专利]MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路在审
| 申请号： | 201611246207.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107564970A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘思麟;洪照俊;彭永州 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体(MOS)电容器。MOS电容器包括前段制程(FEOL)场效应晶体管(FET)和多个中间段制程(MEOL)导电结构。FEOL FET包括设置在半导体衬底中的源极区和漏极区和位于半导体结构上方的栅极。在栅极的顶面上设置多个MEOL导电结构。MEOL导电结构的至少一个与后端制程(BEOL)金属层电断开。本发明也公开了半导体制造方法和MOS电容器电路。本发明实施例涉及MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电容器 半导体 制造 方法 以及 电路 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体(MOS)电容器，包括：前段制程(FEOL)场效应晶体管(FET)，包括：源极区和漏极区，设置在半导体衬底中；以及栅极，位于所述半导体衬底上方；以及多个中间段制程(MEOL)导电结构，设置在所述栅极的顶面上，其中，所述中间段制程导电结构的至少一个与后段制程(BEOL)金属层电断开。
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