[发明专利]MOS电容器、半导体制造方法以及MOS电容器电路在审
| 申请号： | 201611246207.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107564970A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘思麟;洪照俊;彭永州 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 电容器 半导体 制造 方法 以及 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属氧化物半导体(MOS)电容器，包括：
前段制程(FEOL)场效应晶体管(FET)，包括：
源极区和漏极区，设置在半导体衬底中；以及
栅极，位于所述半导体衬底上方；以及
多个中间段制程(MEOL)导电结构，设置在所述栅极的顶面上，其中，所述中间段制程导电结构的至少一个与后段制程(BEOL)金属层电断开。
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