[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611242214.5 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257916B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区、以及位于基底上且覆盖栅极结构顶部的层间介质层，衬底包括用于形成P型器件的第一区域和用于形成N型器件的第二区域；在栅极结构两侧层间介质层内形成露出源漏掺杂区的第一接触开口；对第一区域和第二区域中第一接触开口露出的源漏掺杂区进行P型掺杂隔离肖特基掺杂工艺；在第一接触开口底部形成金属硅化物层；在第一接触开口内形成第一接触孔插塞。本发明可以通过调节第二区域源漏掺杂区的掺杂浓度，在进行P型掺杂隔离肖特基掺杂工艺时避免光罩的使用，实现工艺成本的降低，且对N型器件的影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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