[发明专利]一种制备SnSe晶体的方法在审
| 申请号： | 201611226276.7 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108239787A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 金敏;蒋俊;胡皓阳;邵和助;徐静涛;江浩川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种制备SnSe晶体的方法，其特征在于，将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到；所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°。该方法通过采用斜体生长有效减少了晶体与容器的接触面积，并通过较小的温度梯度、较慢的生长速度和缓慢的晶体降温速度等措施，达到了抑制或消除晶体生长不同阶段产生应力的来源，有利于获得高完整性SnSe晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 斜体 晶体的 生长炉 制备 生长 高完整性 晶体生长 炉体轴向 温度梯度 有效减少 夹角为 多晶 申请 | ||
【主权项】：
1.一种制备SnSe晶体的方法，其特征在于，将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到；所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°。
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