[发明专利]一种制备SnSe晶体的方法在审
| 申请号： | 201611226276.7 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108239787A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 金敏;蒋俊;胡皓阳;邵和助;徐静涛;江浩川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 斜体 晶体的 生长炉 制备 生长 高完整性 晶体生长 炉体轴向 温度梯度 有效减少 夹角为 多晶 申请 | ||
1.一种制备SnSe晶体的方法，其特征在于，将含有SnSe多晶的原料置于斜体生长炉中的容器中生长得到；
所述斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述斜体生长炉包括高温区、中温区和低温区；
其中，高温区温度为900～950℃，中温区温度为860～900℃，低温区温度为800～860℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述容器的放肩角度60～120°。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述容器为直径2～4英寸的石英坩埚。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述容器中装有SnSe籽晶，籽晶取向为<100>、<110>、<111>。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
a)将含有SnSe多晶的原料装入坩埚中抽真空后密封；坩埚放肩角度60～120°，装有取向为<100>、<110>、<111>的籽晶；
b)将密封后的坩埚置于斜体生长炉中，控制斜体反应炉中高温区温度为900～950℃，中温区温度为860～900℃，低温区温度为800～860℃进行晶体生长；斜体生长炉的炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°；
c)待原料中的SnSe多晶全部融化并与籽晶完成接种后，以15～20℃/h速度缓慢降至室温，即得所述SnSe晶体。
7.根据权利要求2或6所述的方法，其特征在于，中温区的晶体生长的温度梯度大小为3～5℃/cm，生长速度为0.5～2mm/h。
8.一种晶体生长炉，包括炉体、用于支撑所述炉体的炉体支架、由程序控制的加热元件以及位于所述炉体内的炉膛；所述炉体轴向与水平方向的夹角为15～30°。
9.根据权利要求8所述的晶体生长炉，其特征在于，所述炉膛分三个温度区域：位于上部的高温区、位于中部的中温区、位于下部的低温区。
10.根据权利要求9所述的晶体生长炉，其特征在于，所述加热元件由电阻丝缠绕形成，分为七段；其中，第1至3段对应高温区，第4和5段对应中温区，第6和7段对应低温区。
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