[发明专利]一种碳化硅超结二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611224609.2 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242463A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郑柳;杨霏;刘瑞;李永平;吴昊;张文婷;王嘉铭;钮应喜;田红林;焦倩倩 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网山东省电力公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/04;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅超结二极管及其制备方法，所述制备方法包括在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用高温高能离子注入方法向外延薄膜的上表面注入离子，形成超结结构；分别在外延薄膜的上表面和碳化硅衬底的背面淀积金属，形成第一金属电极和第二金属电极。与现有技术相比，本发明提供的一种碳化硅超结二极管及其制备方法，通过增加超结结构可以使碳化硅超结二极管的耐压能力只与其外延薄膜相关，与外延薄膜的掺杂浓度无关，可以通过提高外延薄膜的掺杂浓度及引入空穴的方法降低碳化硅超结二极管导通的通态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延薄膜 超结 二极管 制备 超结结构 金属电极 上表面 衬底 掺杂 空穴 二极管导通 淀积金属 高能离子 耐压能力 通态电阻 注入离子 背面 引入 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅超结二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在碳化硅衬底的正面形成外延薄膜，并采用高温高能离子注入方法向所述外延薄膜的上表面注入离子，形成超结结构；分别在所述外延薄膜的上表面和碳化硅衬底的背面淀积金属，形成第一金属电极和第二金属电极。
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