[发明专利]一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置在审
| 申请号： | 201611224578.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242388A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈波;李楠;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置。所述方法包括如下步骤：将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液，或由硫酸、氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。本发明在保护半导体基片表面铜结构或铝结构的同时，可有效去除等离子体刻蚀后基片表面产生的残余物。 | ||
| 搜索关键词： | 残余物 化学液 去除 工艺处理腔 离子水溶液 基片刻蚀 氢氟酸 二氧化碳 半导体基片表面 半导体制造技术 等离子体刻蚀 后基片表面 表面喷洒 表面形成 液体薄膜 铝结构 铜结构 样品台 臭氧 硫酸 喷洒 转动 清洗 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种去除基片刻蚀后残余物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611224578.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多层结构与其制造方法及对应其的接触结构
- 下一篇：晶片的清洗方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
