[发明专利]一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置

权利要求书

1.一种去除基片刻蚀后残余物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；

将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；

在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氢氟酸浓度为体积比1：300～1：3000，所述化学液温度为10～50℃。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述臭氧的浓度为30g/m³～300g/m³。

4.一种去除基片刻蚀后残余物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；

将硫酸、氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；

在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述硫酸浓度为体积比3～15％，所述氢氟酸浓度为质量比0～500PPM，所述化学液温度为15～45℃。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述臭氧的浓度为30g/m³～300g/m³。

7.一种去除基片刻蚀后残余物的装置，其特征在于，所述装置包括：

样品台，所述样品台用于放置待清洗的基片，并可带动所述基片旋转；

工艺处理腔，所述样品台位于所述工艺处理腔内；

化学液桶，所述化学液桶上设有气体注入口和液体注入口，所述化学液桶用于盛放清洗所述基片的化学液；

二氧化碳扩散器，所述二氧化碳扩散器设置在所述化学药桶内，与所述气体注入口相连；

喷嘴，所述喷嘴通过管路与所述化学液桶相连，所述喷嘴设置在所述工艺处理腔的顶部，用于向所述工艺处理腔内的所述基片表面喷洒化学液；

加热器，所述加热器设置在所述喷嘴与所述化学液桶之间的管路上，用于将所述化学液桶内的化学液加热；

臭氧发生器，用于产生臭氧；

臭氧喷嘴，所述臭氧喷嘴通过管路与所述臭氧发生器相连，所述臭氧喷嘴设置在所述工艺处理腔的侧壁上，用于向所述工艺处理腔内喷入臭氧。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述工艺处理腔底部设有化学液收集口，所述化学液收集口通过管路与所述化学液桶相连。

9.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述加热器与所述喷嘴之间的管路上设有分流阀，所述分流阀通过管路与所述化学液桶相连。

10.如权利要求7所述的装置，其特征在于：所述装置还包括真空泵，所述真空泵与所述工艺处理腔相连，使所述工艺处理腔内形成负压。