[发明专利]一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置。所述方法包括如下步骤：将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液，或由硫酸、氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。本发明在保护半导体基片表面铜结构或铝结构的同时，可有效去除等离子体刻蚀后基片表面产生的残余物。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种去除基片刻蚀后残余物的方法及装置。

背景技术

在制备微电子或其他类似器件过程中，基片通过刻蚀形成所需的特征和图形。刻蚀工艺一般采取液体化学液、反应气体和等离子体。刻蚀后基片表面会产生残留物和有机高分子聚合体。为防止最终器件的良率下降，刻蚀后产生的残余物和高聚体必须在下一段工艺开始前去除。去除这些残余物通常是利用酸和氧化剂的液态混和液，然而现有的这些方法并不能有效的完全去除这些残余物。

发明内容

本发明的目的在于提供一种去除基片刻蚀后残余物的方法，能够有效去除等离子体刻蚀后基片表面产生的残余物。

本发明的另一目的在于提供一种去除基片刻蚀后残余物的装置。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种去除基片刻蚀后残余物的方法，所述方法包括如下步骤：

将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；

将氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；

在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。

上述方案中，所述氢氟酸浓度为体积比1：300～1：3000，所述化学液温度为10～50℃。

上述方案中，所述臭氧的浓度为30g/m³～300g/m³。

一种去除基片刻蚀后残余物的方法，所述方法包括如下步骤：

将待清洗的基片放置于工艺处理腔内的样品台上，所述基片在样品台的转动下进行旋转；

将硫酸、氢氟酸、二氧化碳和去离子水溶液组成的化学液喷洒在所述基片的表面，所述化学液在所述基片的表面形成一层均匀的液体薄膜；

在向所述基片的表面喷洒所述化学液的同时，向所述工艺处理腔中导入臭氧，与所述基片的表面的残余物反应，清洁所述基片。

上述方案中，所述硫酸浓度为体积比3～15％，所述氢氟酸浓度为质量比0～500PPM，所述化学液温度为15～45℃。

上述方案中，所述臭氧的浓度为30g/m³～300g/m³。

一种去除基片刻蚀后残余物的装置，所述装置包括：

样品台，所述样品台用于放置待清洗的基片，并可带动所述基片旋转；

工艺处理腔，所述样品台位于所述工艺处理腔内；

化学液桶，所述化学液桶上设有气体注入口和液体注入口，所述化学液桶用于盛放清洗所述基片的化学液；

二氧化碳扩散器，所述二氧化碳扩散器设置在所述化学药桶内，与所述气体注入口相连；