[发明专利]真空管场效应晶体管阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201611204711.6 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108242444B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/764;H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种真空管场效应晶体管阵列及其制造方法，所述真空管场效应晶体管阵列包括：源极材料层；漏极材料层；分立设置于所述源极材料层与所述漏极材料层之间的若干栅极结构；所述栅极结构包括条形金属栅；所述条形金属栅侧壁形成有栅极介质层；所述条形金属栅顶端通过第一绝缘层与所述漏极材料层连接，底端通过第二绝缘层与所述源极材料层连接；各栅极结构之间平行排列，且相邻栅极结构之间构成真空沟道。本发明的真空管场效应晶体管阵列可作为大功率器件，并具有结构简单的优点，可方便通过3D打印制造，不仅可以实现较小的体积，还有利于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 真空管 场效应 晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空管场效应晶体管阵列，其特征在于，包括：源极材料层；漏极材料层；分立设置于所述源极材料层与所述漏极材料层之间的若干栅极结构；所述栅极结构包括条形金属栅；所述条形金属栅侧壁形成有栅极介质层；所述条形金属栅顶端通过第一绝缘层与所述漏极材料层连接，底端通过第二绝缘层与所述源极材料层连接；各栅极结构之间平行排列，且相邻栅极结构之间构成真空沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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