[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	201611180076.2	申请日：	2016-12-19
公开（公告）号：	CN107154356B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	李威养;杨丰诚;陈定业	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	本发明的实施例提供了一种半导体器件包括设置在衬底上方的隔离层、第一和第二鳍片结构、栅极结构、源极/漏极结构。第一鳍片结构和第二鳍片结构均设置在衬底上方，并且沿平面图中的第一方向延伸。栅极结构设置在第一和第二鳍片结构的一部分上方，并且沿平面图中的与第一方向相交的第二方向延伸。第一孔隙形成在源极/漏极结构中，并且第二孔隙形成在源极/漏极结构中且位于第一孔隙上方。本发明的实施例还提供了制造包括FinFET的半导体器件的方法。
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【主权项】：

1.一种制造包括FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：/n在衬底上方形成第一鳍片结构和第二鳍片结构，所述第一和第二鳍片结构沿平面图中的第一方向延伸；/n在所述衬底上方形成隔离绝缘层以使所述第一和第二鳍片结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中并且所述第一和第二鳍片结构的上部由所述隔离绝缘层暴露；/n在所述第一和第二鳍片结构的一部分上方形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极图案、设置在所述栅极图案及所述第一和第二鳍片结构之间的介电层、以及设置在所述栅极图案上方的帽盖绝缘层，所述栅极结构沿平面图中的与所述第一方向相交的第二方向延伸；/n凹陷所述第一和第二鳍片结构的上部至等于或者低于所述隔离绝缘层的上表面的水平；/n在凹陷的所述第一和第二鳍片结构的上方形成第一外延层；以及/n在所述第一外延层的上方形成第二外延层，从而形成外延源极/漏极结构，其中：/n在形成所述第一外延层时，V形结构形成在与所述第一和第二鳍片结构之间被凹陷的区域对应的区域中，并且/n在所述V形的底部处通过所述第二外延层形成第一孔隙。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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