[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造包括FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍片结构和第二鳍片结构，所述第一和第二鳍片结构沿平面图中的第一方向延伸；

在所述衬底上方形成隔离绝缘层以使所述第一和第二鳍片结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中并且所述第一和第二鳍片结构的上部由所述隔离绝缘层暴露；

在所述第一和第二鳍片结构的一部分上方形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极图案、设置在所述栅极图案及所述第一和第二鳍片结构之间的介电层、以及设置在所述栅极图案上方的帽盖绝缘层，所述栅极结构沿平面图中的与所述第一方向相交的第二方向延伸；

凹陷所述第一和第二鳍片结构的上部至等于或者低于所述隔离绝缘层的上表面的水平；

在凹陷的所述第一和第二鳍片结构的上方形成第一外延层；以及

在所述第一外延层的上方形成第二外延层，从而形成外延源极/漏极结构，其中：

在形成所述第一外延层时，V形结构形成在与所述第一和第二鳍片结构之间被凹陷的区域对应的区域中，并且

在所述V形的底部处通过所述第二外延层形成第一孔隙。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一孔隙形成在所述第一外延层和所述第二外延层之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，第二孔隙在所述第一孔隙上方形成在所述第二外延层中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，第三孔隙在所述第二孔隙上方形成在所述第二外延层中。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一外延层包括SiP，并且所述第二外延层包括SiP，以及

所述第二外延层中P的数量大于所述第一外延层中P的数量。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

在凹陷所述第一和第二鳍片结构时，所述第一和第二鳍片结构之间的所述隔离绝缘层被移除，以及

凹陷所述第一和第二鳍片结构至所述第一和第二鳍片结构的底部以便所述第一和第二鳍片结构的凹陷部分具有平面。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述外延源极/漏极结构之后：

在所述外延源极/漏极结构上形成硅化物层；

形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层中形成开口；以及

在所述开口中于所述硅化物层上方形成导电材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

在所述开口形成于所述层间绝缘层中之后，在所述外延源极/漏极结构上形成所述硅化物层。

9.一种制造包括FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成第一鳍片结构和第二鳍片结构，所述第一和第二鳍片结构沿平面图中的第一方向延伸；

在所述衬底上方形成隔离绝缘层以使所述第一和第二鳍片结构的下部嵌入所述隔离绝缘层中并且所述第一和第二鳍片结构的上部由所述隔离绝缘层暴露；

在所述第一和第二鳍片结构的一部分上方形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极图案、设置在所述栅极图案及所述第一和第二鳍片结构之间的介电层、以及设置在所述栅极图案上方的帽盖绝缘层，所述栅极结构沿平面图中的与所述第一方向相交的第二方向延伸；

凹陷所述第一和第二鳍片结构的上部至等于或者低于所述隔离绝缘层的上表面的水平；

在凹陷的所述第一和第二鳍片结构的上方形成第一外延层；

在所述第一外延层的上方形成第二外延层；以及

在所述第二外延层的上方形成第三外延层，从而形成外延源极/漏极结构，其中：

在形成所述第一外延层时，第一V形结构形成在与所述第一和第二鳍片结构之间被凹陷的区域对应的区域中，

在所述第一V形的底部处通过所述第二外延层形成第一孔隙，

在形成所述第二外延层时，第二V形结构形成在所述第一V形的上方，并且

在所述第二V形的底部处通过所述第三外延层形成第二孔隙。