[发明专利]用于光刻图案化的方法在审
| 申请号： | 201611178550.8 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107153326A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 张书豪;高国璋;黄建元;陈政宏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光刻图案化的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上方形成沉积增强层(DEL)；使有机气体在所述沉积增强层的表面附近流动；在所述有机气体的流动期间，用图案化的辐射辐照所述沉积增强层和所述有机气体，其中，所述有机气体的元素通过所述图案化的辐射而聚合，从而在所述沉积增强层上方形成光刻胶图案；以及用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述沉积增强层，从而形成图案化的沉积增强层。
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式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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- 本发明公开了一种双涂层直接上机免处理CTP版，该CTP版通过纳微米级的苯乙烯单体不仅具有表面效应、小尺寸效应和量子效应外，还具有较高的表面能量，使体系熔点降低，使涂层达到高感度，从而可降低制版机的激光功率，延长激光器的寿命，通过分子修饰的方法对菁染料接枝上十一碳烯酸，对菁染料进行改性，防止与树脂膜混溶性差，或者相分离的现象发生，保护层能起保护作用，有效地隔绝空气中的氧、碱性空气如CO2对自由基的反应，从而保证版材感度不致因生产、存放及操作中暴露在空气中而降低，同时，直接上机型处理版有一个好处就是曝光后直接上机，快捷方便，而且还能有效保证产品的保存期。
- 包含具有乙内酰脲环的化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物-201780040019.0
- 绪方裕斗;后藤裕一;远藤雅久;臼井友辉;岸冈高广 - 日产化学株式会社
- 2017-06-23 - 2019-03-01 - G03F7/11
- 本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X1表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)
- 抗蚀剂下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、及图案形成方法-201780026209.7
- 樋田匠;牧野嶋高史;佐藤隆;越后雅敏 - 三菱瓦斯化学株式会社
- 2017-04-28 - 2019-01-04 - G03F7/11
- 包含含有碲的化合物或含有碲的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
- 用于形成膜密度提高了的抗蚀剂下层膜的组合物-201780025989.3
- 德永光;大野正司;坂本力丸;桥本圭祐 - 日产化学株式会社
- 2017-04-25 - 2018-12-21 - G03F7/11
- 本发明的课题是提供用于形成膜密度、硬度、杨氏模量、扭曲耐性(图案的弯曲耐性)高，由此具有高的蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的重复单元结构的酚醛清漆树脂，(在式(1)中，基团A和基团B各自为具有芳香族环、稠合芳香族环、或稠合芳香族杂环的有机基，并且具有下述结构：该基团A和/或基团B中的该环上的氢原子被选自通过氧化而发生质量增加的化学基(a)、通过加热而发生交联形成的化学基(b)、和在固化中诱发相分离的化学基(c)中的相同种类或不同种类的2个以上1价或2价的化学基分别取代了。)。该组合物还包含交联剂、酸和/或产酸剂。通过将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上进行烧成来获得的抗蚀剂下层膜的制造方法。
- 包含含有二酮结构的有机基团的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物-201280006068.X
- 菅野裕太;佐久间大辅;中岛诚 - 日产化学工业株式会社
- 2012-01-24 - 2018-12-07 - G03F7/11
- 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物或其水解缩合物，该硅烷包含下述式(1)：［(R1)aSi(R2)(3－a)］b(R3)式(1)〔式中R3表示式(2)、式(3)、或式(4)：(式中，R4、R5和R6中的至少1个基团直接或介由连接基团而与Si原子结合。)所示的基团，R1表示烷基、芳基、芳烷基、卤代烷基、卤代芳基、卤代芳烷基、链烯基、或者具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基或氰基的有机基团、或者它们的组合。R2表示烷氧基、酰氧基、或卤原子。〕所示的水解性有机硅烷。
- 包含萘酚芳烷基树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物-201780022967.1
- 柄泽凉;桥本圭祐 - 日产化学株式会社
- 2017-04-17 - 2018-11-23 - G03F7/11
- 本发明的课题在于提供不发生与抗蚀剂层的混合、具有高干式蚀刻耐性、具有高耐热性、高温下的质量减少少、显示平坦的高低差基板被覆性的光刻用抗蚀剂下层膜及用于形成该抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含含有下述式(1)的结构单元的聚合物。式(1)的结构单元为式(2)的结构单元。本发明提供半导体装置的制造方法，其包括下述工序：由抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序，在该抗蚀剂下层膜上形成硬掩模的工序，进一步在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序，通过对该抗蚀剂照射光或电子束并进行显影而形成抗蚀剂图案的工序，通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻而形成图案的工序，通过该图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻而形成图案的工序，以及，通过该图案化了的抗蚀剂下层膜对该半导体基板进行加工的工序。
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