[发明专利]在场电介质上具有故障安全熔丝的IC有效
| 申请号： | 201611167809.9 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN107068655B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 河原秀明;杨红;欧根·蓬皮柳·门德里切卢;罗伯特·格雷厄姆·肖 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在场电介质上具有故障安全熔丝的IC。一种熔丝电路，其包含：衬底；顶部半导体层，其掺杂第一导电类型，所述顶部半导体层具有形成于其中的掺杂第二导电类型的包含阱触点的阱。场电介质层FOX处于所述半导体层上。熔丝处于所述阱内的所述FOX上，所述熔丝包含熔丝体，所述熔丝体包含具有第一熔丝触点及第二熔丝触点的导电材料。晶体管形成于所述半导体层中，所述晶体管包含具有CT触点的控制端子CT、具有FT触点的第一端子FT及具有ST触点的第二端子ST。耦合路径处于所述CT触点与阱触点之间，第一电阻器耦合于所述FT触点与CT触点之间，且耦合路径处于所述ST触点与所述第一熔丝触点之间。 | ||
| 搜索关键词： | 在场 电介质 具有 故障 安全 ic | ||
【主权项】：
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