[发明专利]在场电介质上具有故障安全熔丝的IC

权利要求书

1.一种熔丝电路，其包括：

衬底，其包含掺杂第一导电类型的顶部半导体层，所述顶部半导体层具有掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的形成于所述顶部半导体层中的阱，所述阱包含阱触点；

场电介质层，其处于所述顶部半导体层上；

熔丝，其处于所述阱内的所述电介质层上，所述熔丝包含熔丝体，所述熔丝体包括导电材料带，所述导电材料带具有所述导电材料上的第一熔丝触点及所述导电材料上与所述第一熔丝触点分离的第二熔丝触点；

晶体管，其在所述顶部半导体层中邻近所述熔丝而形成，所述晶体管包含具有CT触点的控制端子CT及具有FT触点的第一端子FT及具有ST触点的第二端子ST；

第一耦合路径，其处于所述CT触点与所述阱触点之间；

第一电阻器，其耦合于所述FT触点与所述CT触点之间，及

第二耦合路径，其处于所述ST触点与所述第一熔丝触点之间。

2.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述晶体管包括双极晶体管，其进一步包括所述第一耦合路径中的第二电阻器，所述第二电阻的电阻低于所述第一电阻器的电阻。

3.根据权利要求2所述的熔丝电路，其中所述第一电阻器的电阻是所述第二电阻器的所述电阻的2到40倍。

4.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述晶体管包括金属氧化物半导体MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述导电材料包括多晶硅、钨或铝。

6.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述电介质层包括厚度为从0.05μm到0.3μm的场氧化物FOX层。

7.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述第二熔丝触点在包含所述熔丝电路的集成电路IC上内部接地。

8.根据权利要求1所述的熔丝电路，其中所述衬底及所述顶部半导体层两者都包括硅。

9.一种集成电路IC，其包括：

衬底，其包含掺杂第一导电类型的顶部半导体层，所述顶部半导体层具有掺杂与所述第一导电类型相反的第二导电类型的形成于所述顶部半导体层中的阱，所述阱包含阱触点；

功能电路，其形成于所述顶部半导体层中；

场电介质层，其处于所述顶部半导体层上；

至少一个熔丝，其处于所述阱内的所述电介质层上，所述熔丝包含熔丝体，所述熔丝体包括导电材料带，所述导电材料带具有所述导电材料上的第一熔丝触点及所述导电材料上与所述第一熔丝触点分离的第二熔丝触点；

晶体管，其在所述顶部半导体层中邻近所述熔丝而形成，所述晶体管包含具有CT触点的控制端子CT及具有FT触点的第一端子FT及具有ST触点的第二端子ST；

第一耦合路径，其处于所述CT触点与所述阱触点之间；

第一电阻器，其耦合于所述FT触点与所述CT触点之间，及

第二耦合路径，其处于所述ST触点与所述第一熔丝触点之间。

10.根据权利要求9所述的IC，其中所述衬底及所述顶部半导体层两者都包括硅。

11.根据权利要求9所述的IC，其中所述晶体管包括双极晶体管，其进一步包括所述第一耦合路径中的第二电阻器，所述第二电阻的电阻低于所述第一电阻器的电阻。

12.根据权利要求11所述的IC，其中所述第一电阻器的电阻是所述第二电阻器的所述电阻的2到40倍。

13.根据权利要求9所述的IC，其中所述晶体管包括金属氧化物半导体MOS晶体管。

14.根据权利要求9所述的IC，其中所述导电材料包括多晶硅、钨或铝。