[发明专利]一种磷化铟背孔的制作方法

摘要

本发明是一种磷化铟背孔的制作方法，包括：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证背孔位置与正面金属阻挡层一致，形成刻蚀掩模；（4）将STS ICP干法刻蚀机的背氦温度升至190℃，利用氯气（Cl₂）和氩气Ar组合气体进行干法刻蚀，直到刻到正面金属阻挡层；（5）去除刻蚀掩模；（6）背面溅射种子层，电镀背金填充背孔，完成背孔制作。本发明优点：解决了磷化铟深孔刻蚀的难题，背孔形貌、刻蚀重复性、一致性都很好，同时工艺简单，能与砷化镓工艺兼容，适合大规模推广应用。

主权项

1.一种磷化铟背孔的制作方法，其特征是该方法包括以下步骤：（1）在磷化铟圆片正面需要开背孔的位置，制作金属阻挡层，并完成正面工艺；（2）将磷化铟圆片正面与临时载片蓝宝石键合，并对圆片背面进行减薄、抛光；（3）在磷化铟圆片背面光刻制作背孔图形，并且保证背孔位置与正面金属阻挡层一致，形成刻蚀掩模；（4）将STS ICP干法刻蚀机的背氦温度升至190℃，利用氯气Cl2和氩气Ar组合气体进行干法刻蚀，直到刻到正面金属阻挡层；（5）去除刻蚀掩模；（6）背面溅射种子层，电镀背金填充背孔，完成背孔制作；所述磷化铟圆片正面是利用金属阻挡层控制刻蚀深度的；所述背孔刻蚀掩模使用的是金属Ni掩膜，该掩膜耐受高温刻蚀；所述背孔刻蚀使用Cl2和Ar的组合气体进行ICP刻蚀，氯离子主要起化学刻蚀作用，氩离子主要起物理轰击作用；所述刻蚀过程：利用背氦温度及刻蚀产生的能量将圆片温度控制在245‑255℃，以保证刻蚀速率及背孔形貌；所述去除刻蚀掩模：利用稀盐酸去掉Ni刻蚀掩模；所述背孔顶宽底窄，溅射种子层后在侧壁电镀上一层Au，以实现正面金属与背金互连。