[发明专利]半导体装置的形成方法

摘要

半导体装置的形成方法包含提供从基底延伸的鳍，且鳍具有源极/漏极区和沟道区，鳍包含第一层、第二层设置于第一层上方及第三层设置于第二层上方，通过从沟道区移除第二层的至少一部分以形成间隙，第一材料形成于沟道区中，以形成第一界面层部分和第二界面层部分，分别至少部分地环绕第一层和第三层，第二材料沉积于沟道区中，以形成第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分，分别至少部分地环绕第一界面层部分和第二界面层部分，沿沟道区中的第一高介电常数介电层部分和第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成包含清除材料的金属层。

主权项

一种半导体装置的形成方法，包括:提供从一基底延伸的一鳍，该鳍具有一源极/漏极区和一沟道区，其中该鳍包含一第一层设置于该基底上方、一第二层设置于该第一层上方及一第三层设置于该第二层上方；从该沟道区移除该第二层的至少一部分，以形成一间隙于该第一层与该第三层之间；形成一第一材料于该沟道区中，以形成至少部分地环绕该第一层的一第一界面层部分，并形成至少部分地环绕该第三层的一第二界面层部分；沉积一第二材料于该沟道区中，以形成至少部分地环绕该第一界面层部分的一第一高介电常数介电层部分，并形成至少部分地环绕该第二界面层部分的一第二高介电常数介电层部分；以及沿该沟道区中的该第一高介电常数介电层部分和该第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成一金属层，其中该金属层包含一清除材料。