[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括:

提供从一基底延伸的一鳍，该鳍具有一源极/漏极区和一沟道区，其中该鳍包含一第一层设置于该基底上方、一第二层设置于该第一层上方及一第三层设置于该第二层上方；

从该沟道区移除该第二层的至少一部分，以形成一间隙于该第一层与该第三层之间；

形成一含硅层至少部分地环绕该第一层和该第三层，其中该第一层和该第三层具有在30原子百分比至100原子百分比的范围内的锗浓度；

形成一第一材料于该沟道区中，以形成至少部分地环绕该第一层的一第一界面层部分，并形成至少部分地环绕该第三层的一第二界面层部分；

沉积一第二材料于该沟道区中，以形成至少部分地环绕该第一界面层部分的一第一高介电常数介电层部分，并形成至少部分地环绕该第二界面层部分的一第二高介电常数介电层部分；

沿该沟道区中的该第一高介电常数介电层部分和该第二高介电常数介电层部分的相对侧壁形成一金属层，其中该金属层包含一清除材料；以及

对该金属层实施一退火制程，以产生对该第一界面层部分和该第二界面层部分的一清除制程。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该第一层和该第三层的每一个具有一磨圆的轮廓。

3.如权利要求2所述的半导体装置的形成方法，其中该磨圆的轮廓具有圆形的形状。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中在形成该金属层之后，该间隙不具有该清除材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括:

通过成长一第一硅锗层形成该第一层；

通过成长一硅层于该第一硅锗层正上方形成该第二层；以及

通过成长一第二硅锗层于该硅层正上方形成该第三层。

6.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成包含一第一半导体层、一第二半导体层和一第三半导体层的一鳍元件；

从该鳍元件的一沟道区移除该第二半导体层的至少一部分，以形成一间隙于该第一半导体层与该第三半导体层之间；

形成一含硅层至少部分地环绕该第一半导体层和该第三半导体层，其中该第一半导体层和该第三半导体层具有在30原子百分比至100原子百分比的范围内的锗浓度；

形成一中介部件于该沟道区中，其中该中介部件包含:

一第一界面层部分，至少部分地环绕该第一半导体层；

一第一高介电常数介电层部分，至少部分地环绕该第一界面层部分；

一第二界面层部分，至少部分地环绕该第二半导体层；及

一第二高介电常数介电层部分，至少部分地环绕该第二界面层部分；

沉积至少部分地环绕该中介部件的一金属层，其中该金属层包含一清除材料；以及

对该金属层实施一退火制程，以产生对该第一界面层部分和该第二界面层部分的一清除制程。

7.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中该第二半导体层的厚度小于两倍之该中介部件的侧壁的宽度。

8.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，还包括:

蚀刻该第一半导体层和该第三半导体层，使该第一半导体层和该第三半导体层的每一个具有一磨圆的轮廓。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中该磨圆的轮廓为圆形的形状。

10.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中在沉积该金属层之后，该间隙不具有该清除材料。

11.如权利要求6所述的半导体装置的形成方法，其中在该清除制程期间清除该第一界面层部分和该第二界面层部分的全部区域。