[发明专利]光调制的半导体场效应晶体管和集成电路有效
| 申请号： | 201611130449.5 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615799B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王敬;陈文捷;郭磊;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/26;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，其中该光调制的半导体场效应晶体管包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线。本发明的光调制的半导体场效应晶体管和集成电路，将发光结构设置半导体层之上，部分覆盖源或漏，使发光结构与沟道区更近，可以在沟道区有效激发电子‑空穴对，提高沟道区载流子浓度，利用光照极大地改善器件的导通电流。 | ||
| 搜索关键词： | 调制 半导体 场效应 晶体管 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体层；源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线。
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