[发明专利]光调制的半导体场效应晶体管和集成电路

权利要求书

1.一种光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体层；

源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；

形成在所述半导体层之上的栅结构；

形成在所述半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构至少部分地覆盖所述源区和/或漏区，所述发光结构用于产生用于激发所述半导体层中电子和空穴对的光线；

所述源区和所述漏区采用抬升结构设置在所述半导体层之上。

2.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源区包括：

第一重掺杂层；

形成在所述第一重掺杂层之上的第一金属接触层；

所述发光结构包括：

形成在所述第一重掺杂层之上的第一发光层；

形成在所述发光层之上的第一掺杂层，所述第一重掺杂层和所述第一掺杂层的导电类型相反；

设置在所述发光结构第一掺杂层之上的第一电极。

3.如权利要求2所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述发光结构还包括：

形成在所述第一重掺杂层和所述发光层之间的第二掺杂层，所述第二掺杂层与所述第一重掺杂层的导电类型相同。

4.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述漏区包括：

第二重掺杂层；

形成在所述重掺杂层之上的第二金属接触层；

所述发光结构包括：

形成在所述第二重掺杂层之上的第二发光层；

形成在所述第二发光层之上的第三掺杂层，所述第三掺杂层和所述第二重掺杂层的导电类型相反；

设置在所述发光结构第三掺杂层之上的第二电极。

5.如权利要求4所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述发光结构还包括：

形成在所述第二重掺杂层和所述发光层之间的第四掺杂层，所述第四掺杂层和所述第二重掺杂层的导电类型相同。

6.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层包括具有直接带隙结构的半导体材料。

7.如权利要求6所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层的材料包括氮化物半导体材料、砷化物半导体材料、氧化物半导体材料或锑化物半导体材料。

8.如权利要求2-5中任一项所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述发光层为发光二极管。

9.如权利要求8所述的光调制的半导体场效应晶体管，所述发光二极管结构包括发光层，所述发光层为量子阱或多量子阱结构。

10.如权利要求2-5中任一项所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述发光层的材料与所述半导体层的材料属于同一系列。

11.如权利要求2-5中任一项所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述发光层的禁带宽度不小于所述半导体层的禁带宽度。

12.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，还包括：

同步结构，用于控制所述半导体场效应晶体管和所述发光结构同步开启。

13.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括MOSFET、MESFET、MISFET和JFET。

14.如权利要求1所述的光调制的半导体场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管具有平面结构、双栅结构、FinFET结构或环栅结构。

15.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-14中任一项所述的光调制的半导体场效应晶体管。